VNP10N07-E

Symbol Micros: TVNP10n07
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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OMNI-FET-Transistor; 70V; 140 mOhm; 10A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8382 1,3628 1,1330 1,1057 1,0807
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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