VNP10N07-E
Symbol Micros:
TVNP10n07
Gehäuse: TO220
OMNI-FET-Transistor; 70V; 140 mOhm; 10A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 140mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2132 | 1,8138 | 1,5812 | 1,4379 | 1,3838 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3650 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3838 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3838 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
23850 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3838 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 140mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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