VNP20N07-E
Symbol Micros:
TVNP20n07
Gehäuse: TO220
OMNI-FET-Transistor; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1847 | 2,7505 | 2,4971 | 2,3351 | 2,2741 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP20N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1530 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3122 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: STMicroelectronics
Transistor-Typ: OMNI-FET
Polarisation: unipolar
Drain-Source-Spannung: 70V
Drain-Strom: 20A
Leistung: 83W
Gehäuse: TO220
Durchlasswiderstand: 70mΩ
Montage: THT
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