VNP35N07-E

Symbol Micros: TVNP35n07-e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
OMNI-FET-Transistor; 70V; 35mOhm; 35A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,0028 3,5719 3,3129 3,1458 3,0798
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7140 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,0798
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2640 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,0798
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT