VNP35N07-E
Symbol Micros:
TVNP35n07-e
Gehäuse: TO220
OMNI-FET-Transistor; 70V; 35mOhm; 35A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0028 | 3,5719 | 3,3129 | 3,1458 | 3,0798 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7140 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0798 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2640 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0798 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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