VNS3NV04D-E

Symbol Micros: TVNS3nv04d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xOMNI-FET-Transistor; 40V; 240 mOhm; 3,5A; 4W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNS3NV04DP-E; VNS3NV04DPTR-E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xOMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNS3NV04DPTR-E RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
151 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7462 1,4639 1,3022 1,1998 1,1633
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xOMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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