WMO50N06TS TO252 WAYON

Symbol Micros: TWMO50N06TS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 69,4W; -55°C ~ 150°C; WMO50N06TS-CYG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 69,4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: WAY-ON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: WAYON Hersteller-Teilenummer: WMO50N06TS RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4004 0,2202 0,1731 0,1604 0,1538
Standard-Verpackung:
2500/12500
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 69,4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: WAY-ON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD