WMO50N06TS TO252 WAYON
Symbol Micros:
TWMO50N06TS
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 69,4W; -55°C ~ 150°C; WMO50N06TS-CYG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69,4W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | WAY-ON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69,4W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | WAY-ON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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