WPM2015 SOT23

Symbol Micros: TWPM2015 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: WPM2015-HXY RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2074 0,1039 0,0618 0,0513 0,0461
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: WPM2015-3/TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,1966 0,0926 0,0517 0,0414 0,0357
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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