WPM2015 SOT23
Symbol Micros:
TWPM2015 c
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | KUU |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | KUU |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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