XPH4R10ANB,L1XHQ
Symbol Micros:
TXPH4R10ANB,L1XHQ
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6,2 mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | SOP08 Advance (5x5) |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | SOP08 Advance (5x5) |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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