XPH4R10ANB,L1XHQ

Symbol Micros: TXPH4R10ANB,L1XHQ
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Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6,2 mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: XPH4R10ANB,L1XHQ RoHS Gehäuse: SOP08 Advance (5x5) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,4041 2,0672 1,8691 1,7735 1,7166
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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