XPH6R30ANB,L1XHQ

Symbol Micros: TXPH6R30ANB,L1XHQ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9,5mOhm; 45A; 132W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Max. Drainstrom: 45A
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Max. Drainstrom: 45A
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD