MCR08BT1 NXP

Symbol Micros: TY000.8mcr08bt NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
It=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA mcr08bt1g mcr08bt1,115
Parameter
Gatestrom: 0,2mA
Gehäuse: SOT223
Strom: 0,8A
Spannung: 200V
Typ des Thyristors: SCR-Thyristor
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: MCR08BT1,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3241 0,1722 0,1334 0,1233 0,1180
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: MCR08BT1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3241 0,1722 0,1334 0,1233 0,1180
Standard-Verpackung:
1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-12-31
Anzahl Stück: 1000
Gatestrom: 0,2mA
Gehäuse: SOT223
Strom: 0,8A
Spannung: 200V
Typ des Thyristors: SCR-Thyristor