BTW69-800RG

Symbol Micros: TY050btw69-0800
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Es = 50A; Vdrm=800V; Igt=80mA
Parameter
Gehäuse: TO 3P
Gatestrom: 80mA
Strom: 50A
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: SCR-Thyristor
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: TO 3P
Gatestrom: 80mA
Strom: 50A
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: SCR-Thyristor

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