BTW69-1000RG

Symbol Micros: TY050btw69-1000
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Es = 50A; Vdrm=1000V; Igt=80mA
Parameter
Gatestrom: 80mA
Gehäuse: TO 3P
Strom: 50A
Spannung: 1000V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gatestrom: 80mA
Gehäuse: TO 3P
Strom: 50A
Spannung: 1000V

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