YFW13N50AF TO220F YFW

Symbol Micros: TYFW13N50AF YFW
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Gehäuse: TO220F
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500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220F
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW13N50AF RoHS Gehäuse: TO220F Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9290 0,5835 0,4575 0,4318 0,4038
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220F
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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