YFW4N65AD TO252 YFW

Symbol Micros: TYFW4N65AD YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 2,8Ohm; 4A; 51W; -55°C ~ 150°C; LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4N65AD RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3013 0,1968 0,1408 0,1233 0,1155
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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