YFW4N65AF TO220F YFW

Symbol Micros: TYFW4N65AF YFW
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Gehäuse: TO220F
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Hochspannungs-MOSFET; N-Kanal 650 V 4 A Durchgangsloch TO-220F YFW4N65AF; LGE4N65F; BXP4N65F;
Parameter
Verlustleistung: 33W
Hersteller: YFW
Gehäuse: TO220F
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4N65AF RoHS Gehäuse: TO220F Datenblatt
Auf Lager:
195 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4326 0,2618 0,2017 0,1821 0,1733
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Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 33W
Hersteller: YFW
Gehäuse: TO220F
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET

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