YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW

Symbol Micros: TYFW4N65AMJ YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251S (IPAK)
Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 2,8Ohm; 4A; 51W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BXP4N65U;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: TO251
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4N65AMJ RoHS Gehäuse: TO251S (IPAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3082 0,1632 0,1265 0,1169 0,1119
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4N65AMJ RoHS Gehäuse: TO251S (IPAK) Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3082 0,1632 0,1265 0,1169 0,1119
Standard-Verpackung:
80
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: TO251
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT