YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW
Symbol Micros:
TYFW4N65AMJ YFW
Gehäuse: TO251S (IPAK)
Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 2,8Ohm; 4A; 51W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BXP4N65U;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51W |
| Gehäuse: | TO251 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51W |
| Gehäuse: | TO251 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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