YFW50N06AD TO252 YFW

Symbol Micros: TYFW50N06AD YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW50N06AD RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2668 0,1424 0,1110 0,1004 0,0968
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD