YFW7N65AF TO-220F YFW

Symbol Micros: TYFW7N65AF YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220F
Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 1,4Ohm; 7A; 48W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BXP7N65CF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220F
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW7N65AF RoHS Gehäuse: TO220F Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5619 0,3367 0,2571 0,2412 0,2245
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220F
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT