YFWG120N10AC TO220 YFW

Symbol Micros: TYFWG120N10AC YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Entspricht: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,8mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFWG120N10AC RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9233 0,6778 0,5431 0,4652 0,4392
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,8mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT