YFWG50N10AD TO-252 YFW

Symbol Micros: TYFWG50N10AD YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 50A; 82W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 82W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFWG50N10AD RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3070 0,1703 0,1344 0,1221 0,1181
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 82W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD