YFWG80N10AD DPAK YFW

Symbol Micros: TYFWG80N10AD YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 9,4mOhm; 80A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFWG80N10AD RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4716 0,2830 0,2167 0,1950 0,1884
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 9,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO252
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD