YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI
Symbol Micros:
TYGP15n65tma1
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 650V; 25V; 30A; 45A; 125W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 45nC |
Maximale Verlustleistung: | 125W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,5V ~ 6V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | LUXIN-SEMI |
Gate-Ladung: | 45nC |
Maximale Verlustleistung: | 125W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,5V ~ 6V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | LUXIN-SEMI |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Gate - Emitter Spannung: | 25V |
Montage: | THT |
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