YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGP15n65tma1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 650V; 25V; 30A; 45A; 125W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 45nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,5V ~ 6V
Gehäuse: TO220
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGP15N65TMA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9336 0,6843 0,5503 0,4703 0,4445
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 45nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,5V ~ 6V
Gehäuse: TO220
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT