YGP20N65T2 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGP20n65t2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 650V; 25V; 40A; 60A; 125W; 4,6V~6,2V; 45nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKP15N60TXKSA1; IRGB4620DPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 45nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,6V ~ 6,2V
Gehäuse: TO220
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGP20N65T2 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9830 0,7219 0,5785 0,4962 0,4680
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 45nC
Maximale Verlustleistung: 125W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,6V ~ 6,2V
Gehäuse: TO220
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT