YGW25N120T3 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW25n120t3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 270W; 4,5V~6,3V; 150nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW25N120H3FKSA1; IKW25N120T2FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,3V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW25N120T3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9942 1,4792 1,2628 1,1899 1,1735
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,3V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT