YGW25N120TMB1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW25n120tmb1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 273W; 4,4V~6,0V; 23nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW25N120H3FKSA1; IKW25N120T2FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 23nC
Maximale Verlustleistung: 273W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,4V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW25N120TMB1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0061 1,4880 1,2704 1,1970 1,1805
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 23nC
Maximale Verlustleistung: 273W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,4V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT