YGW40N120T3 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW40n120t3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 416W; 5,2V~6,5V; 255nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11;
Parameter
Gate-Ladung: 255nC
Maximale Verlustleistung: 416W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 255nC
Maximale Verlustleistung: 416W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT