YGW40N65F1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW40n65f1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 120A; 250W; 4V~6V; 90nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW40N60H3FKSA1; IRGP4640DPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 90nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW40N65F1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7543 1,3028 1,1100 1,0465 1,0324
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 90nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT