YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW60n65fma1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 145nC
Maximale Verlustleistung: 273W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,7V ~ 6,3V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW60N65FMA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8672 1,4815 1,3146 1,2558 1,2440
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 145nC
Maximale Verlustleistung: 273W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,7V ~ 6,3V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT