YGW75N65FP LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW75n65fp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IRGP4066DPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 130nC
Maximale Verlustleistung: 710W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,2V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW75N65FP RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5727 2,0412 1,8107 1,7308 1,7143
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 130nC
Maximale Verlustleistung: 710W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,2V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT