YGW80N65FMA1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW80n65fma1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 160A; 240A; 312W; 4,5V~6,1V; 220nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW75N65EH5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 220nC
Maximale Verlustleistung: 312W
Max. Kollektor-Strom: 160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 240A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,1V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Hersteller: LUXIN-SEMI Hersteller-Teilenummer: YGW80N65FMA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,9784 2,5597 2,3136 2,1930 2,1268
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 220nC
Maximale Verlustleistung: 312W
Max. Kollektor-Strom: 160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 240A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,1V
Gehäuse: TO247
Hersteller: LUXIN-SEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT