YJM04N10A

Symbol Micros: TYJM04N10A YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans; N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 4A; 16A, 2.5W; +-20V; 120mOhm; YJM04N10A-YAN
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: YJM04N10A-F2-0000HF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2077 0,1149 0,0762 0,0634 0,0593
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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