YJM04N10A
Symbol Micros:
TYJM04N10A YY
Gehäuse: SOT223
Trans; N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 4A; 16A, 2.5W; +-20V; 120mOhm; YJM04N10A-YAN
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | YY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | YY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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