YJM04N10A

Symbol Micros: TYJM04N10A YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans; N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 4A; 16A, 2.5W; +-20V; 120mOhm; YJM04N10A-YAN
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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