ZVN2106A DIODES INCORPORATED

Symbol Micros: TZVN2106A Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVN2106A RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6175 0,3871 0,3206 0,2874 0,2684
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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