ZVN2110GTA Diodes

Symbol Micros: TZVN2110g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZVN2110GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5842 0,3681 0,2897 0,2636 0,2541
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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