ZVNL120A DIODES
Symbol Micros:
TZVNL120a
Gehäuse: TO92
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 10 Ohm; 180mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZVNL120A
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2499 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZVNL120A
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2409 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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