ZVNL120A DIODES

Symbol Micros: TZVNL120a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 10 Ohm; 180mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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