ZVP2106A

Symbol Micros: TZVP2106A Diodes

Gehäuse: TO92

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	280mA
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVP2106A RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8317	0,5239	0,4111	0,3735	0,3618

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVP2106A Gehäuse: TO92

Externes Lager:

32000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3618

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVP2106A Gehäuse: TO92

Externes Lager:

6895 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3618

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	280mA
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT