ZXM61N03FTA Diodes Inc

Symbol Micros: TZXM61N03FTA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 300 mOhm; 1,4A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3506 0,1946 0,1536 0,1395 0,1351
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
666000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1351
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1351
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD