ZXM61N03FTA Diodes Inc
Symbol Micros:
TZXM61N03FTA
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 300 mOhm; 1,4A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Zetex
Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3506 | 0,1946 | 0,1536 | 0,1395 | 0,1351 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
666000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1351 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1351 |
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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