ZXM61N03FTA Diodes Inc

Symbol Micros: TZXM61N03FTA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 300 mOhm; 1,4A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXM61N03FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3539 0,1964 0,1551 0,1408 0,1363
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD