ZXMN10A08DN8TA

Symbol Micros: TZXMN10a08dn8
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 2,1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN10A08DN8TA RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8821 0,6475 0,5185 0,4457 0,4199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN10A08DN8TA Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
51500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole