ZXMN2A01FTA

Name: TZXMN2a01fta TZXMN2a01fta
Brand: DIODES/ZETEX
SKU: TZXMN2a01fta
Price: 0.0941 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TZXMN2a01fta

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 225 mOhm; 2,2A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	806mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A01FTA RoHS 7N2 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2098	0,1156	0,0766	0,0637	0,0599

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A01FTA Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1035

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A01FTA Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1000

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	806mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD