ZXMN2A01FTA

Symbol Micros: TZXMN2a01fta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 225 mOhm; 2,2A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 225mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A01FTA RoHS 7N2 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2121 0,1168 0,0774 0,0644 0,0606
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 225mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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