ZXMN2F30FHTA

Symbol Micros: TZXMN2f30fh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Zetex
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2F30FHTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4109 0,2268 0,1784 0,1653 0,1584
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Zetex
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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