ZXMN3F30FHTA

Name: TZXMN3f30fhta TZXMN3f30fhta
Brand: DIODES/ZETEX
SKU: TZXMN3f30fhta
Price: 0.1246 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TZXMN3f30fhta

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 4,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN3F30FHTA RoHS KNA Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

480 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3237	0,1795	0,1417	0,1288	0,1246

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN3F30FHTA Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1246

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN3F30FHTA Gehäuse: SOT23-3

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3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1246

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN3F30FHTA Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1246

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD