ZXMN4A06GTA DIODES

Symbol Micros: TZXMN4a06g

Gehäuse: SOT223

N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 75 mOhm; 7A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	3,9W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN4A06GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1215	0,7453	0,6160	0,5572	0,5337

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN4A06GTA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5337

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN4A06GTA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5337

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	3,9W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD