ZXMN6A08E6TA DIODES

Name: TZXMN6a08e6 TZXMN6a08e6
Brand: DIODES/ZETEX
SKU: TZXMN6a08e6
Price: 0.2578 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TZXMN6a08e6

Gehäuse: SOT26

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 3,5A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08E6TA Pbf 6A8 Gehäuse: SOT26 Datenblatt

Auf Lager:

98 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5791	0,3625	0,3013	0,2683	0,2519

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08E6TA Gehäuse: SOT26

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2811

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08E6TA Gehäuse: SOT26

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2578

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD