ZXMN6A09GTA DIODES

Name: TZXMN6a09g TZXMN6a09g
Brand: Zetex
SKU: TZXMN6a09g
Price: 0.3994 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TZXMN6a09g

Gehäuse: SOT223

Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 7,5A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	7,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,9W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A09GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9186	0,5756	0,4793	0,4252	0,3994

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A09GTA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6324

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A09GTA Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4990

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	7,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,9W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD