ZXMP10A13FTA Diodes

Symbol Micros: TZXMP10A13F
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,45 Ohm; 700mA; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4394 0,2664 0,2049 0,1849 0,1760
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3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-16
Anzahl Stück: 6000
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD