ZXMP10A13FQTA

Symbol Micros: TZXMP10a13fq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,45Ohm; 700mA; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXMP10A13FQTC
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FQTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 77+ 308+
Nettopreis (EUR) 0,8560 0,5692 0,4713 0,4303 0,4121
Standard-Verpackung:
77
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FQTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 23+ 115+ 575+
Nettopreis (EUR) 0,8560 0,5692 0,4667 0,4234 0,4075
Standard-Verpackung:
23
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD