ZXMP10A13FQTA
Symbol Micros:
TZXMP10a13fq
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω AEC-Q101 ZXMP10A13FQTC
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
| Max. Drainstrom: | -0,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | -100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
| Max. Drainstrom: | -0,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | -100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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