ZXMP3A13FTA DIODES

Symbol Micros: TZXMP3A13FTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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