ZXMP4A57E6TA

Name: TZXMP4a57e6 TZXMP4a57e6
Brand: DIODES/ZETEX
SKU: TZXMP4a57e6
Price: 0.2636 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TZXMP4a57e6

Gehäuse: SOT26

P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 150 mOhm; 3,7A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A57E6TA RoHS Gehäuse: SOT26 t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6073	0,3837	0,3037	0,2754	0,2636

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A57E6TA Gehäuse: SOT26

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2636

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A57E6TA Gehäuse: SOT26

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2636

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD