ZXMP6A13FTA

Symbol Micros: TZXMP6a13f

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 600 mOhm; 1,1A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	806mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

300000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1034

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1073

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

267000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1190

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	806mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD