ZXMP7A17GTA
Symbol Micros:
TZXMP7a17g
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 250 mOhm; 3,7A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole