ZXMS6004DN8-13
Symbol Micros:
TZXMS6004DN8-13 Diodes
Gehäuse: SOIC08
2xN-MOSFET-Transistor; 60V; 600 mOhm; 1,3A; 1,56 W; -40 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Max. Drainstrom: | 1,3A |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-23
Anzahl Stück: 2500
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Max. Drainstrom: | 1,3A |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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