ZXMS6004DN8-13

Symbol Micros: TZXMS6004DN8-13 Diodes

Gehäuse: SOIC08

2xN-MOSFET-Transistor; 60V; 600 mOhm; 1,3A; 1,56 W; -40 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004DN8-13 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt

Auf Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8691	0,5502	0,4345	0,3967	0,3778

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004DN8-13 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

147500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3778

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004DN8-13 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

60000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3778

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD