ZXMS6004DN8-13

Symbol Micros: TZXMS6004DN8-13 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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2xN-MOSFET-Transistor; 60V; 600 mOhm; 1,3A; 1,56 W; -40 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004DN8-13 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8596 0,5442 0,4298 0,3924 0,3737
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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