ZXTN2010ZTA

Symbol Micros: TZXTN2010ZTA Diodes
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Gehäuse: SOT89 t/r
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Transistor GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2010ZTA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4256 0,2334 0,1842 0,1707 0,1636
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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