ZXTN2010ZTA

Symbol Micros: TZXTN2010ZTA Diodes
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Gehäuse: SOT89 t/r
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Transistor GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2010ZTA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4417 0,2422 0,1912 0,1772 0,1698
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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